本文全文图片

• 电磁-热-应力耦合流程^[11]
• JAUMIN中基于构件的编程流程^[14]
• 电-热-应力耦合求解精度验证^[18]
• 键合线阵列仿真中使用的梯形脉冲^[12]
• 网格剖分和计算进程划分^[12]
• 不同宽度脉冲注入下键合线阵列最大温度和范氏应力^[12]
• 不同幅度脉冲注入下键合线阵列最大温度和范氏应力^[12]
• 脉冲1注入15 μs时键合线阵列温度和范氏应力分布^[12]
• 键合线阵列最大范氏应力出现位置^[12]
• SiP三维模型^[12]
• SiP中典型高功率芯片模型^[12]
• SiP仿真中使用的梯形脉冲波形^[12]
• 脉冲注入期间SiP的最大温度和范氏应力^[12]
• 120 ms时SiP的温度分布和范氏应力分布^[12]
• 120 ms时SiP不同层的切面范氏应力分布(z为高度)^[12]
• 焊球阵列几何结构^[5]
• 焊球阵列在梯形脉冲串注入下的最大温度^[5]
• 脉冲注入1 ms和5.5 ms时焊球阵列的温度分布^[5]
• 焊球阵列的范氏应力分布^[5]
• PDN的电压分布^[22]
• 三维SiP的温度分布^[22]
• S波段微带线滤波器结构示意图^[23]
• S波段微带线滤波器的S参数^[23]
• 不同环境温度下S波段微带线滤波器的S参数^[23]
• 不同功率HPM注入下S波段微带线滤波器S参数的漂移^[23]
• 不同功率HPM注入下滤波器内部最大温度和热功率随频率的变化^[23]
• 微带线滤波器中温度和电场分布
• 典型C波段SIW滤波器结构示意图^[23]
• C波段SIW滤波器的S参数^[23]
• 不同环境温度下C波段SIW滤波器的S参数^[23]
• 不同功率脉冲注入下C波段SIW滤波器的S参数的漂移^[23]
• 不同功率脉冲注入下C波段SIW滤波器中最大温度随频率的变化^[23]
• 五模W波段封装滤波器结构图及840 个子区域^[11]
• 强扩展并行实验^[11]
• 室温下W波段滤波器S参数的测量和仿真结果^[11]
• W波段滤波器在不同时刻处的温度和范氏应力分布^[11]
• 不同注入功率条件下W波段滤波器最高温度随时间的变化^[11]
• K波段LTCC滤波器^[11]
• LTCC滤波器每层的电场分布(单位：V/m)^[11]
• LTCC滤波器在不同时刻的横截面(上)和纵截面(下)的温度曲线(单位：K) ^[11]
• LTCC滤波器在1 s和10 s处不同横截面上的范氏应力分布(单位：N/m²) ^[11]
• 10 W输入下LTCC滤波器的S参数漂移(室温下的S 参数作为参考)^[11]
• 6.5 GHz 40 W 功率注入39 s时SIW滤波器温度分布^[6]
• 6.5 GHz 1 W 功率下SIW滤波器耗散功率分布^[6]
• 6.5 GHz时不同功率注入下最大温度随时间的变化^[6]
• SIW滤波器的通带随温度的变化^[6]
• 包含 SIW 滤波器和集成微通道的三维几何结构^[27]
• 稳态时SIW滤波器的通带漂移^[27]
• 真实SiP示意图^[11]
• 热稳态时真实SiP不同层的范氏应力分布(单位：N/m²) ^[11]
• 真实SiP5 s (上) 和 18 s (下) 的温度分布 (单位：K) ^[11]